Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.

Электрод, из которого выходят носители заряда под действием напряжения на ЗАТВОРе, называется ИСТОКом, принимающий носители электрод называется – СТОКом. Схема усиления как по току , та к и по напряжению – с ОИ.

Выделяют два основных типа полевых транзисторов:

– полевые транзисторы с управляющим переходом (в качестве перехода может быть p–n–переход, гетеропереход или переход Шоттки);

– полевые транзисторы с изолированным затвором (со встроенным или индуцированным каналом). У них затвор выполнен в виде металлической пленки, изолирован от канала тонким слоем диэлектрика (SiO2), поэтому их называют МДП Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.–транзисторами. Их делят на МДП – транзисторы с индуцированным каналом и МДП–транзисторы со встроенным каналом.

Кроме этого, все полевые транзисторы могут быть как с каналом n-типа, так и с каналом p-типа.

На КПК изображены условные обозначения шести транзисторов (три n-канальных и три р–канальных) (рис.1–6), их разрезы (схематические устройства) (рис. 11–16), их стоко–затворные (управляющие) характеристики (рис.17–22), их выходные характеристики (рис. 29–34) и краткие описания принципа работы (23–28).

Для каждого транзистора можно определить свой набор рисунков:

1. МДП–транзистор с индуцированным n-каналом (рис.1, 11, 18, 26, 29);

2. МДП–транзистор с индуцированным р-каналом (рис.5, 13, 17, 25, 33);

3. МДП–транзистор со встроенным n-каналом (рис.2, 12, 22, 27, 30);

4. МДП–транзистор со Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. встроенным р-каналом (рис.3, 14, 21, 28, 34);

5. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом n-каналом (4,15, 20, 24, 32);

5. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом р-каналом (6,16, 19, 23, 31).

Принцип действия ПТ с управляющим каналом заключается в том, что максимальный ток, протекающий через канал достигается при напряжении на затворе =0. Когда на затвор подается обратное напряжение, относительно истока, канал сужается, при некотором напряжении на затворе становится Ic=0.

МДП транзистор со встроенным каналом может работать как при прямом, так и при обратном напряжении, но в одном случае он будет работать в режиме обеднения (Uзи увеличивается, ток уменьшается), так и в режиме обогащения (все возрастает)

МДП транзистор с Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. индуцированным каналом не имеет канала при напряжении на затворе =0. С увеличением напряжения неосновные носители подложки подтягиваются к затвору и образуют канал.



Дата добавления: 2015-08-29; просмотров: 3 | Нарушение авторских прав


documentawfbmgf.html
documentawfbtqn.html
documentawfcbav.html
documentawfcild.html
documentawfcpvl.html
Документ Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем.